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日盲SiC 紫外雪崩光电二极管(UV APD) - 荧光寿命|气体检测TDLAS|激光测量|武汉东隆科技有限公司

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日盲SiC 紫外雪崩光电二极管(UV APD)

发布时间:2018-12-06阅读次数:500次
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日盲SiC 紫外雪崩光电二极管与其他的APD相似,适用于紫外波段弱信号探测具有非常高的灵敏度和信号增益它的独特性在于其只对UV紫外波段响应。由于采用稳定的SiC基底,所以它的工作偏压比普通的APD要稍高一些,约180VDCUV APD可作为真空光电倍增管PMT的固态封装替代。除了只对UV波段响应这个特点SiC基底的APD还有另外两个优势,一是在较高能量紫外应用下的稳定性,二是高温的稳定性

波长响应曲线

 

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 各种低能量UV探测

 火焰探测

 UV 光子计数

 低能量的紫外光监控

 作为PMT 的稳定固态器件替换

基本参数:

灵敏度

1nW/cm2

增益

105~106

工作偏压

~180VDC

APD尺寸

1.2mm2

封装

QNF-164mmx4mm),Pin11正极,Pin2负极

 

使用说明


Package Drawing

 

 

 

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